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J-GLOBAL ID：200903029076113274

半導体デバイスの改良

Inventor： ギーハン エイ.ジェイ.アミラタンガ ,  フローリン ウドレイ
Applicant, Patent owner： マイテル セミコンダクター リミテッド
Agent (1)： 飯田 伸行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998021415
Publication number (International publication number)：1998209432
Application date： Jan. 19, 1998
Publication date： Aug. 07, 1998
Summary：

【要約】【課題】従来半導体デバイスの改良。【解決手段】絶縁型ゲートバイポーラトランジスタにおいて、シリコンのp領域にゲートを溝として設ける。動作時に、p領域内の溝底部に反転層を作ることによって形成された仮想エミッターをもつサイリスターモードで動作する。デバイスは安全性が高く、ゲート信号を取り去るとエミッターが潰れ、直ちにターン・オフする。溝ゲートをp領域内に設けているため、ターン・オフ時の高電圧に耐え、逆電界が溝ゲートに達することはない。

Claim (excerpt)：

動作領域の第1面から一つかそれ以上の溝を延設し、上記溝の壁領域に設けた、第1導電率形の第1半導体領域に反転層を形成する電界効果ゲート電極によって両端の電流が制御可能な少なくとも一つのpn接合を配設し、上記第1面から離れている上記溝の少なくとも底部分を上記第1半導体領域に設けるとともに、上記第1領域と上記の第1導電率形であるアノードとの間に設けた第2導電率形の第2半導体領域に上記第1領域を隣接配設し、使用のさいに上記ゲート電極を動作させて、上記反転層によって上記第1領域および上記第2領域へのキャリヤ注入を開始することによって、上記反転層が存在している間、この反転層がサイリスターのエミッターとして作用するサイリスター作用を発生する半導体トレンチデバイス。

IPC (2)：

H01L 29/74 ,  H01L 29/78

FI (5)：

H01L 29/74 N ,  H01L 29/78 652 K ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 654 Z ,  H01L 29/78 655 Z