Pat

J-GLOBAL ID：200903029077784156

マーク検出方法及びその装置

Inventor： 川上 研一 ,  安田 洋 ,  須崎 義夫
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社 ,  株式会社アドバンテスト
Agent (1)： 伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997201811
Publication number (International publication number)：1999045849
Application date： Jul. 28, 1997
Publication date： Feb. 16, 1999
Summary：

【要約】【課題】 従来の方法は、高精度の検出を行うためには、メモリからモデル波形を読み出すときのシフト量を小さくして比較を繰り返さなければならず、位置合わせマークの位置検出に要する時間が長くなる。【解決手段】 検出信号波形の基準となる基準波形を所定シフト量ずつ順次シフトした複数の基準波形を予め記憶しておき、検出信号波形を前記複数の基準波形夫々と同時に比較し、検出信号波形と最も相関の高い基準波形のシフト量を前記マークの位置情報とする。このため、高精度にマーク位置を検出することが可能となり、また、検出信号波形を、順次シフトした複数の基準波形と同時に比較することにより、高速にマーク位置を検出でき、短時間の検出が可能となる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成されたマークを荷電粒子ビームで走査し、反射荷電粒子ビームを検出した検出信号波形から前記マークの位置を検出するマーク検出方法において、前記検出信号波形の基準となる基準波形を所定シフト量ずつ順次シフトした複数の基準波形を予め記憶しておき、前記検出信号波形を前記複数の基準波形夫々と同時に比較し、前記検出信号波形と最も相関の高い基準波形のシフト量を前記マークの位置情報とすることを特徴とするマーク検出方法。

IPC (2)：

H01L 21/027 ,  G01B 15/00

FI (3)：

H01L 21/30 507 Z ,  G01B 15/00 B ,  H01L 21/30 541 K

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 荷電粒子ビーム露光装置及びその制御方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-317106   Applicant：富士通株式会社, 富士通ヴィエルエスアイ株式会社
• 特開平4-074906
  
• 特開昭62-133566