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J-GLOBAL ID:200903029081951687

二層技術のためのボトムレジスト

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 矢野 敏雄 (外4名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000124499
Publication number (International publication number):2000321776
Application date: Apr. 25, 2000
Publication date: Nov. 24, 2000
Summary:
【要約】【課題】 一面で化学的に強化されたフォトレジストと相容性であるようにするために適合した表面酸度を使用し、他面、その下方に存在する基板、例えばシリコンのパターン化に使用されるようなハロゲンプラズマ中での高い安定度を有する、二層技術のためのボトムレジストを提供する。【解決手段】 二層技術のためのボトムレジストの場合に、フェノール系基礎重合体、100°Cの温度を上廻ってスルホン酸を遊離する熱活性化合物、溶剤を含有する。
Claim (excerpt):
二層技術のためのボトムレジストにおいて、- フェノール系基礎重合体、- 100°Cの温度を上廻ってスルホン酸を遊離する熱活性化合物、- 溶剤を含有することを特徴とする、二層技術のためのボトムレジスト。
IPC (5):
G03F 7/095 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/028 ,  H01L 21/027
FI (5):
G03F 7/095 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 Z ,  G03F 7/028 ,  H01L 21/30 502 R
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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