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J-GLOBAL ID：200903029094102042

シリカ平面導波路構造体における複屈折の放射線分解による修正

Inventor： ベンジャミン アーヴン グリーン ,  トーマス エー.ストレッサー ,  シンシア アン ヴォルカート
Applicant, Patent owner： エイ・ティ・アンド・ティ・アイピーエム・コーポレーション
Agent (1)： 岡部 正夫 (外10名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996040904
Publication number (International publication number)：1996248249
Application date： Feb. 28, 1996
Publication date： Sep. 27, 1996
Summary：

【要約】【課題】 異なるコアおよびクラッド層を有する極めて多様な導波路に生じる複屈折を減少あるいは除去するような適正な波長を選択する。【解決手段】 導波路コアおよびクラッドを有するシリケート導波路構造体の複屈折削減方法には、クラッドに圧縮を引き起こす照射エネルギーの選択段階が含まれている。したがって、複屈折を減少させるため、導波路構造体には、この照射エネルギーに等しいエネルギーを有する放射線が照射される。

Claim (excerpt)：

クラッドの圧縮を引き起こす照射エネルギーを選択する段階と、前記照射エネルギーに等しいエネルギーを有する放射線によりシリケート導波路構造体に照射して複屈折の減少を誘発する段階とから成る、導波路コアおよびクラッドを有するシリケート導波路構造体の複屈折を削減する方法。