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J-GLOBAL ID：200903029095223404

基準電圧発生回路

Inventor： 岡崎 孝男
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 徳若 光政
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992258979
Publication number (International publication number)：1994083467
Application date： Sep. 02, 1992
Publication date： Mar. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】 簡単な構成により温度補償された基準電圧を得ることができる基準電圧発生回路を提供する。【構成】 ソースとゲートが接続されたディプレッション型の第1のMOSFETにより定電流を形成し、それを反対導電型のMOSFETからなる電流ミラー回路を通して上記第1のMOSFETと同一導電型からなり、ゲートとドレインが接続された第2のMOSFETに流すようにし、そのゲートとソース間電圧を出力定電圧とするとともに、上記電流ミラー回路の電流比により出力定電圧の温度補償を行う。【効果】 ディプレッョン型MOSFETと、それと同一導電型のエンハンスメント型MOSFET及び電流ミラー回路を構成する一対のMOSFETからなる極めて簡単な回路により温度補償された基準電圧を得ることができる。

Claim (excerpt)：

ソースとゲートが接続されて定電流動作を行うディプレッション型の第1のMOSFETと、このMOSFETにより形成された定電流を受け、反対導電型のMOSFETからなる電流ミラー回路と、この電流ミラー回路の出力電流が流れるようにされ、上記第1のMOSFETと同一導電型からなり、ゲートとドレインが接続された第2のMOSFETとを含み、上記第2のMOSFETのゲートとソース間電圧を出力定電圧とするとともに、上記電流ミラー回路の電流比ににより出力定電圧の温度補償を行うことを特徴とする基準電圧発生回路。

IPC (3)：

G05F 3/24 ,  H03F 1/30 ,  H03F 3/343

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特表平2-502136
  
• 特開昭62-072019
  
• 特開平2-245810