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J-GLOBAL ID：200903029141857332

半導体ウエーハの評価方法

Inventor：
大槻 剛

About 大槻 剛


Applicant, Patent owner：
信越半導体株式会社

About 信越半導体株式会社


Agent (1)： 好宮 幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006333614
Publication number (International publication number)：2008147460
Application date： Dec. 11, 2006
Publication date： Jun. 26, 2008
Summary：
【課題】接合リーク電流測定を、簡単に、より正確に行い、より高精度に半導体ウエーハを評価することができる半導体ウエーハの評価方法を提供する。【解決手段】半導体ウエーハの評価方法であって、少なくとも、半導体ウエーハ表面に酸化膜を形成し、該酸化膜の一部を除去して窓明けを行い、該窓から、評価する半導体の導電型とは異なる導電型のドーパントを拡散し、前記評価する半導体内に拡散部を形成してPN接合を形成した後、0Vバイアス時のリーク電流値I0および逆バイアス印加時のリーク電流値I1を測定し、該逆バイアス印加時のリーク電流値I1と前記0Vバイアス時のリーク電流値I0との差ΔI=I1-I0を算出し、該算出したΔIに基づいて半導体ウエーハを評価する半導体ウエーハの評価方法。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
半導体ウエーハの評価方法であって、少なくとも、半導体ウエーハ表面に酸化膜を形成し、該酸化膜の一部を除去して窓明けを行い、該窓から、評価する半導体の導電型とは異なる導電型のドーパントを拡散し、前記評価する半導体内に拡散部を形成してPN接合を形成した後、0Vバイアス時のリーク電流値I0および逆バイアス印加時のリーク電流値I1を測定し、該逆バイアス印加時のリーク電流値I1と前記0Vバイアス時のリーク電流値I0との差ΔI=I1-I0を算出し、該算出したΔIに基づいて半導体ウエーハを評価することを特徴とする半導体ウエーハの評価方法。
IPC (1)：
H01L 21/66
FI (1)：
H01L21/66 N
F-Term (8)：
4M106AA01 ,  4M106AA13 ,  4M106BA14 ,  4M106CA04 ,  4M106CB19 ,  4M106DJ18 ,  4M106DJ20 ,  4M106DJ27
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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