Pat

J-GLOBAL ID：200903029149007192

縦型電界効果トランジスタおよびその製造方法

Inventor： 河越 弘和
Applicant, Patent owner： 関西日本電気株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992077107
Publication number (International publication number)：1993283432
Application date： Mar. 31, 1992
Publication date： Oct. 29, 1993
Summary：

【要約】【目的】 縦型電界効果トランジスタのチャンネル長を長くすることなくベース層を深くし、dV/dt による破壊耐量を向上させる。【構成】 N型の半導体基板1上にP型エピ層2を形成し、基板1と同一導電型のN型拡散層3をゲート5下に基板1と接触するように形成し、基板と異なるP型のベース層4とそのベース層4内に基板と同じ導電型のソース領域となるN型拡散層6をゲート5をマスクに形成した縦型電界効果トランジスタとする。【効果】 チャンネル長を長くすることなくベース領域を深くすることができ、dV/dt による破壊耐量を向上させる。

Claim (excerpt)：

一導電型の半導体基板上に他導電型不純物層を有し、前記他導電型不純物層内に一導電型の拡散層を基板と接触するように有し、他導電型のベース領域をその表面にあるチャンネル形成部分が前記一導電型の拡散層内にあって前記他導電型不純物層に接続して形成されたことを特徴とする縦型電界効果トランジスタ。

IPC (2)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784

FI (2)：

H01L 29/78 321 P ,  H01L 29/78 321 S