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J-GLOBAL ID：200903029150432441

高純度誘電体薄膜

Inventor： 小木 勝実 ,  曽山 信幸 ,  善 秀喜
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社
Agent (1)： 広瀬 章一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992024294
Publication number (International publication number)：1993195227
Application date： Jan. 16, 1992
Publication date： Aug. 03, 1993
Summary：

【要約】【目的】 高純度誘電体薄膜の提供【構成】 (1) 一般式 MTiO<SB>3</SB>(式中、MはBa,Ca,Mg,Sr,Nb,Bi,Cd,Ce,Laから選ばれる1種または2種以上の金属元素)で表わされるペロブスカイト型チタン酸化合物からなり、そのアルカリ金属不純物の含有量が1ppm以下であることを特徴とする誘電体薄膜。(2) 一般式 (M<SB>x</SB>Pb<SB>1-x</SB>)TiO<SB>3</SB> (式中、MはBa,Ca,Mg,Sr,Nb,Bi,Cd,Ceから選ばれる1種または2種以上の金属元素、xは0<x<1)で表わされるペロブスカイト型鉛含有チタン酸化合物からなり、そのアルカリ金属不純物の含有量が1ppm以下であることを特徴とする誘電体薄膜。【効果】上記ペロブスカイト型チタン酸化合物からなる高純度誘電体薄膜は、従来問題であったリーク電流が大幅に減少し、優れた誘電特性を示す。また膜の部位による特性変化が極めて少ない安定な膜が得られ、エレクトロニクスの分野等において広く用いることができる。

Claim (excerpt)：

一般式 MTiO3(式中、MはBa,Ca,Mg,Sr,Nb,Bi,Cd,Ce,Laから選ばれる1種または2種以上の金属元素)で表わされるペロブスカイト型チタン酸化合物からなり、そのアルカリ金属不純物の含有量が1ppm以下であることを特徴とする誘電体薄膜。

IPC (2)：

C23C 16/40 ,  H01L 27/04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭62-147602
  
• 特開昭62-280335
  
• 特開平3-107453
  
• 特開昭61-269804