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J-GLOBAL ID：200903029153497846

半導体装置の製造方法

Inventor： 石川 誠二 ,  下社 貞夫 ,  中里 純 ,  谷口 雄三 ,  松岡 一彦
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 中村 純之助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999125490
Publication number (International publication number)：1999345848
Application date： Feb. 23, 1990
Publication date： Dec. 14, 1999
Summary：

【要約】【課題】ウェハの欠陥処理の容易化と管理の効率化に好適な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体ウェハを撮像して検出した欠陥を検索情報と共に画面上に同時表示し、発生状態を監視しながら製造する半導体装置の製造方法。

Claim (excerpt)：

半導体装置の製造方法であって、所定の工程を経たウェハを撮像して欠陥を検出し、該検出した欠陥の画像を前記ウェハを特定する情報と共に記憶し、該記憶したウェハを特定する情報を画面上に表示し、該画面上に表示されたウェハを特定する情報から所望のウェハを選択し、該選択した所望のウェハの前記検出した欠陥に関する情報を画面上に表示し、該画面上に表示した所望のウェハの欠陥に関する情報から観察する欠陥を指定し、該指定した欠陥の画像を画面上に表示し、該表示した前記所望のウェハの欠陥に関する情報と前記欠陥の画像とに基づいて欠陥の発生の状態を監視しながら半導体装置を製造することを特徴とする半導体装置の製造方法。