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J-GLOBAL ID:200903029174635092

透明導電膜形成用組成物および透明導電膜

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 広瀬 章一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994034751
Publication number (International publication number):1995242842
Application date: Mar. 04, 1994
Publication date: Sep. 19, 1995
Summary:
【要約】【構成】 錫ドープ酸化インジウム(ITO)粉末;結合剤としてSi、Ti、ZrまたはAlの低級アルコキシド (例、エチルシリケート) ;結合助剤としてリン酸基、亜リン酸基またはこれらのエステル基を含有するチタネート系またはアルミニウム系カップリング剤 (例、ビス (ジオクチルパイロホスフェート) オキシアセテートチタネート) ;および溶媒 (例、アルコールおよび/または水) からなる透明導電膜形成用組成物。【効果】 この組成物を透明基板に塗布し、200 °C未満で乾燥すると、透明性が高く、表面抵抗値が1×105 Ω/□以下の導電性に優れた透明導電膜が得られる。さらに 200〜400 °Cで焼成すると、表面抵抗値は1×104 Ω/□以下まで一層低下する。帯電防止膜、電極・回路形成用に有用。
Claim (excerpt):
導電粉として平均一次粒子径0.2 μm以下の錫ドープ酸化インジウム粉末、結合剤として金属アルコキシドおよび/もしくはその部分加水分解物、ならびに結合助剤としてリン酸基、亜リン酸基またはそれらのエステル基を有する金属系カップリング剤を溶媒中に含有する、透明導電膜形成用組成物。
IPC (5):
C09D 5/24 PQW ,  C09D183/02 PMN ,  H01B 5/14 ,  H01B 13/00 503 ,  H01J 29/88
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (19)
  • 特開昭63-211514
  • 特開昭63-193971
  • 特開昭64-054613
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