Pat
J-GLOBAL ID：200903029176810800
多波長半導体レーザ素子
Inventor：
,
,
,
,
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992064184
Publication number (International publication number)：1993267792
Application date： Mar. 19, 1992
Publication date： Oct. 15, 1993
Summary：
【要約】【目的】 各レーザ光の波長差を任意にかつ容易に設定でき、簡単なプロセスで製作可能な多波長半導体レーザ素子を提供することにある。【構成】 複数の独立ストライプを有する半導体レーザ素子において、量子井戸構造により構成されたレーザ発振用活性層14を有する場合は、前記活性層14の井戸幅を各々のストライプで変化させることによりレーザ発振波長を変化させる。又、少なくとも2種類のIII族又はII族の原子を含む混晶により構成されたレーザ発振用活性層を有する場合は、前記活性層の組成を、各々のストライプで変化させることによりレーザ発振波長を変化させる。前記活性層の成長方法として制御性及び再現性に欠ける液相成長法ではなく、分子線エピタキシャル成長法を用いる。
Claim (excerpt)：
半導体基板と、該半導体基板上に形成された多層構造と、電流狭窄手段と、量子井戸構造を有する複数のストライプ状発振領域とを有する多波長半導体レーザ素子において、量子井戸幅が異なる該複数のストライプ状発振領域を有する多波長半導体レーザ素子。
IPC (3)：
H01S 3/18
, H01L 33/00
, H01S 3/25
