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J-GLOBAL ID：200903029178174251

薄膜形成装置のターゲット保持機構

Inventor： 大見 忠弘 ,  柴田 直 ,  梅田 優
Applicant, Patent owner： 大見 忠弘
Agent (1)： 福森 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995337947
Publication number (International publication number)：1996321497
Application date： Jan. 11, 1989
Publication date： Dec. 03, 1996
Summary：

【要約】【課題】 本発明は、ターゲット交換をプロセスチャンバの真空状態を変えることなく行なうことができ、1つのチャンバで多種類のターゲットを用いた成膜が可能となり、スループットの向上を図れるターゲット保持機構を提供することを目的とする。【解決手段】 本発明は、減圧室内にウエハとターゲットとを対向するように配設し、該ターゲットの材料を前記ウエハ面上に形成するように構成された薄膜形成装置において、前記減圧室内に配設され、表面が絶縁物で覆われた導電材料から成るホルダと、該ホルダと該ホルダの絶縁物上に載置されるターゲットとの間に静電吸着力を生じさせる静電吸着手段とを備えたことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

減圧室内にウエハとターゲットとを対向するように配設し、該ターゲットの材料を前記ウエハ面上に形成するように構成された薄膜形成装置において、前記減圧室内に配設され、表面が絶縁物で覆われた導電材料から成るホルダと、該ホルダと該ホルダの絶縁物上に載置されるターゲットとの間に静電吸着力を生じさせる静電吸着手段とを備えたことを特徴とする薄膜形成装置のターゲット保持機構。

IPC (5)：

H01L 21/31 ,  C23C 14/34 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/3205

FI (5)：

H01L 21/31 D ,  C23C 14/34 C ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/285 S ,  H01L 21/88 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭61-291970
  
• 特開昭57-108264
  
• 特開平1-177368