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J-GLOBAL ID：200903029191557690

半導体製造装置

Inventor： 玉井 秀幸
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991260139
Publication number (International publication number)：1993102166
Application date： Oct. 08, 1991
Publication date： Apr. 23, 1993
Summary：

【要約】【目的】 半導体材料基板の加工における面内の偏りを半導体材料基板を載置する基板搭載台の部分的な温度変化により解消して、面内加工精度の高い半導体製造装置を得る。【構成】 処理室1内に設置された基板搭載台2の内部を分割壁4で複数の分割室2a,2bに分割し、それぞれに異なる温度制御がなされた純水などの媒体を導入して部分的に異なる温度変化を可能としたことを特徴としている。【効果】 半導体材料基板の周辺部と中央部で加工状態に差がある場合は、周辺部と中央部で異なる温度の媒体を導入して、その差を温度変化させて解消することによって基板面内の加工精度を向上することができる。

Claim (excerpt)：

処理室内に設置され、媒体によって温度調節された基板搭載台上に半導体材料基板を載置して加工する半導体製造装置において、前記基板搭載台を分割壁により複数の分割室に分割し、前記分割室のそれぞれが異なる温度の媒体を導入して部分的に温度の異なる基板搭載台としたことを特徴とする半導体製造装置。

IPC (6)：

H01L 21/324 ,  C23C 14/50 ,  C30B 25/10 ,  H01L 21/22 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/31