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J-GLOBAL ID：200903029199229080
微細パターンの形成方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
青木 朗 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992011242
Publication number (International publication number)：1993206085
Application date： Jan. 24, 1992
Publication date： Aug. 13, 1993
Summary：
【要約】【目的】 既存の露光装置およびレジストを用いてパターンの解像度の向上を目的とする。【構成】 上記目的達のため、被加工体上にレジストをパターニングして、開口を有するレジストパターンを形成する工程と、次いで、該レジストパターン表面から該開口底面に延在するように、薄膜を被着形成する工程と、次いで、該開口底面にて前記被加工体表面を露出するように該薄膜を除去し、かつ該開口側面には該薄膜を残すように、該薄膜を異方性エッチングする工程と、次いで、前記レジストパターンおよび該薄膜をマスクにして、前記被加工体をパターニングする工程と、次いで、該レジストパターンおよび該薄膜を除去する工程とから構成する。かかるプロセスにより、既存の露光装置とレジストを用いて、レジストパターニングのマージンが大きくなると共に解像度の向上を図ることが可能となる。
Claim (excerpt)：
被加工体上にレジストをパターニングして、開口を有するレジストパターンを形成する工程と、次いで、該レジストパターン表面から該開口底面に延在するように、薄膜を被着形成する工程と、次いで、該開口底面にて前記被加工体表面を露出するように該薄膜を除去し、かつ該開口側面には該薄膜を残すように、該薄膜を異方性エッチングする工程と、次いで、前記レジストパターンおよび該薄膜をマスクにして、前記被加工体をパターニングする工程と、次いで、該レジストパターンおよび該薄膜を除去する工程とを有する微細パターンの形成方法。
IPC (2)：
H01L 21/302
, H01L 21/027
