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J-GLOBAL ID：200903029204710949

金属層へのマーク付け方法と金属層および半導体装置

Inventor：
大溝 尚子

About 大溝 尚子


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 須山 佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997328360
Publication number (International publication number)：1999156565
Application date： Nov. 28, 1997
Publication date： Jun. 15, 1999
Summary：
【要約】【課題】 半導体装置のカバープレート等の金属層の表面に、レーザー照射により金属屑等を発生させることなく、視認性が良好なマークを形成する。【解決手段】 本発明のマーク付け方法では、金属層6の梨地面(Rmax が 0.5〜 5μm )の所定のマーク領域に、レーザービーム7を照射し、金属を溶融させ再び凝固させることにより、表面を、極く微小な凹凸が均されて消された滑らかな面8とする。このようなマーク部の表面は、光を一方向にのみ正反射し、素地部の表面は光をあらゆる方向に散乱(拡散反射)するので、反射性の違いによりマーク部が肉眼等で良好に視認される。
Claim (excerpt)：
表面粗さRmax が 0.5〜 5μm の金属層の所定のマーク領域に、レーザービームを照射し、金属を溶融させ再凝固させることにより、前記マーク領域の表面を、前記金属層の素地部と光反射性の異なる面とすることを特徴とする金属層へのマーク付け方法。
IPC (5)：
B23K 26/00 ,  B23K 26/08 ,  B41M 5/26 ,  C25D 7/12 ,  H01L 23/00
FI (5)：
B23K 26/00 B ,  B23K 26/08 B ,  C25D 7/12 ,  H01L 23/00 A ,  B41M 5/26 S
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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