半導体レーザの選別方法及びその装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：吉田精孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996320062
Publication number (International publication number)：1998160785
Application date： Nov. 29, 1996
Publication date： Jun. 19, 1998
Summary：

【要約】【課題】長寿命の半導体レーザを効率良く選別する方法及びその装置を提供すること。【解決手段】実際の使用条件よりも厳しい条件下で半導体レーザを動作させる加速試験の前後における発振しきい値の変化率より長寿命の半導体レーザを選別する際、半導体レーザの電流-電圧特性を測定し、微分抵抗が一定になる最小の電流値を前記発振しきい値とみなして選別を行うことにより、電流-光出力特性の測定を不要とし、これによって選別前のパッケージングやモジュール組み込みを不要とし、ウェハから分割しない状態での選別を可能とし、スループットの高い選別を可能とする。

Claim (excerpt)：

半導体レーザを加速試験する工程と、前記加速試験により発振しきい値が上昇した素子を選別除去する工程とからなる半導体レーザの選別方法において、前記半導体レーザの微分抵抗が一定になる最小の電流値を前記発振しきい値とみなすことを特徴とする半導体レーザの選別方法。

IPC (2)：

G01R 31/26 , H01S 3/18

FI (3)：

G01R 31/26 F , G01R 31/26 H , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平4-184175
特開昭62-008583
特開平3-062938

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