Pat

J-GLOBAL ID：200903029224862290

パターン形成方法

Inventor： 山中 良子 ,  服部 孝司 ,  田中 稔彦
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996093822
Publication number (International publication number)：1997281699
Application date： Apr. 16, 1996
Publication date： Oct. 31, 1997
Summary：

【要約】【課題】リソグラフィにおいて、反射による影響を受けず、かつ、断面形状の良好なレジストパターンを寸法精度良く形成する。【解決手段】レジスト中に露光光を吸収する吸光成分と、露光によって活性化する反応促進成分と、露光によって反応促進成分を失活させる能力を持つ失活成分を同時に含有させ、レジストの可溶化あるいは架橋反応が膜厚方向に均一に起こるようにする。

Claim (excerpt)：

被加工基板上に、レジスト膜を塗布する工程と、上記レジスト膜の所望の場所にエネルギ線を照射する工程と、上記レジスト膜を現像する工程を含むパターン形成方法であって、上記レジストは、上記エネルギ線を吸収して上記被加工基板による光反射を軽減する吸光成分と、エネルギ線の照射によって感光する感光成分を含有し、上記感光成分が少なくとも、エネルギ線の照射によって目的とする主反応であるレジスト可溶化反応あるいはレジストポリマ架橋反応を促進させることができる反応促進成分と、エネルギ線の照射によって上記主反応促進成分を消失あるいは失活させるようになるか、あるいは、エネルギ線の照射によって主反応と逆の効果をレジストに与える失活成分の二種類の成分を含有しており、上記反応促進成分の反応量と上記失活成分の反応量の差をレジスト膜の厚さ方向に一定にすることによって、上記エネルギ線のレジスト膜厚方向の強度分布を補償する反応促進成分と失活成分を含有し、かつ、その含有量を調節したことを特徴とする自己濃度補正型吸光性レジストであることを特徴とするパターン形成方法。

IPC (3)：

G03F 7/004 503 ,  G03F 7/039 501 ,  H01L 21/027

FI (3)：

G03F 7/004 503 ,  G03F 7/039 501 ,  H01L 21/30 502 R