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J-GLOBAL ID：200903029232080373

強誘電体ダイオード素子、並びにそれを用いたメモリー装置、フィルター素子及び疑似脳神経回路

Inventor： 渡部 行男
Applicant, Patent owner： 三菱化学株式会社
Agent (1)： 長谷川 曉司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994055951
Publication number (International publication number)：1995263646
Application date： Mar. 25, 1994
Publication date： Oct. 13, 1995
Summary：

【要約】【構成】 半導体層上に強誘電体層を積層して、これらの層上に1対の電極を形成してなるダイオード素子であって、強誘電体薄膜をよぎって該半導体層に流れる非トンネル性の電流電圧特性が0°C以上でヒステリシスを有する強誘電体ダイオード素子。【効果】 本発明によれば、単純な構成で、神経疑似素子や高集積化の容易なメモリー素子を提供することができる。

Claim (excerpt)：

半導体層上に強誘電体層を積層し、これを1対の電極で挟んで構成されたダイオード素子であって、該電極間に0°C以上で動作電圧より大な電圧を印加して過大な電流を流すことにより低抵抗状態となることを特徴とする強誘電体ダイオード素子。

IPC (7)：

H01L 27/10 451 ,  G11C 11/22 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (2)：

H01L 27/10 325 J ,  H01L 29/78 371