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J-GLOBAL ID：200903029240422410

半導体装置の製造方法

Inventor： 滝山 真功
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 國分 孝悦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995236120
Publication number (International publication number)：1997064360
Application date： Aug. 22, 1995
Publication date： Mar. 07, 1997
Summary：

【要約】【課題】 欠陥密度が低くて絶縁耐圧が高いゲート酸化膜を得る。【解決手段】 シリコン基板11の表面に炭化シリコン層13を形成し、少なくとも炭化シリコン層13を熱酸化してシリコン基板11の表面にシリコン酸化膜14を形成し、このシリコン酸化膜14をMOSトランジスタのゲート酸化膜にする。つまり、シリコン酸化膜14の総てをシリコン基板11自体の熱酸化によって形成しているのではないので、シリコン基板11中に結晶欠陥が存在していても、シリコン酸化膜14にはシリコン基板11中の結晶欠陥が取り込まれにくい。

Claim (excerpt)：

シリコン基板の表面に炭化シリコン層を形成する工程と、少なくとも前記炭化シリコン層を熱酸化して前記シリコン基板の表面にシリコン酸化膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/316

FI (2)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 21/316 S