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J-GLOBAL ID：200903029241227174
膜成長方法と膜成長装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高橋 敬四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991299246
Publication number (International publication number)：1993136087
Application date： Nov. 14, 1991
Publication date： Jun. 01, 1993
Summary：
【要約】【目的】 半導体装置の製造プロセスに適した半導体もしくは金属の膜成長方法に関し、均一で平坦な膜を成長することが可能な膜成長方法を提供することを目的とする。【構成】 下地表面上に金属または半導体の化合物の吸着層を形成する工程と、前記吸着層を分解反応させ、金属または半導体の析出層を形成する工程と、前記析出層上に金属または半導体の成長膜を形成する工程とを含む。
Claim (excerpt)：
下地(1)表面上に金属または半導体の化合物の吸着層(2)を形成する工程と、前記吸着層を分解反応させ、金属または半導体の析出層(3)を形成する工程と、前記析出層(3)上に金属または半導体の成長膜(5)を形成する工程とを含む膜成長方法。
IPC (4)：
H01L 21/285 301
, C23C 16/44
, H01L 21/205
, H01L 21/28
