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J-GLOBAL ID：200903029263298865
特にオプトエレクトロニクス半導体デバイス用であるオプトエレクトロニクスデバイス用温度補償方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
志賀 正武 (外2名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1996510618
Publication number (International publication number)：1998508984
Application date： Sep. 24, 1995
Publication date： Sep. 02, 1998
Summary：
【要約】特にオプトエレクトロニクス半導体デバイス用であるオプトエレクトロニクスデバイス用の本発明による温度補償方法では、所定の定常状態で前記デバイスを動作させて、温度に従属する第1の特性値を測定し、その後、この特性値を、同じ定常状態において異なる温度で測定された比較値と比較する。そして、特性値と比較値との間の関係から、補正関数を導く。この補正関数は、温度による影響を補正するために、オプトエレクトロニクス半導体デバイスから得られる測定値を補正するのに用いられる。
Claim (excerpt)：
特にオプトエレクトロニクス半導体デバイス用であるオプトエレクトロニクスデバイス用温度補償方法であって、 前記デバイスを所定の定常状態の下で動作させて、温度従属性を有する第1の特性値を測定し、 前記特性値を、同じ定常状態であるが異なる温度の下で測定された比較値と比較し、 前記特性値と前記比較値との間の関係から、前記デバイスにより測定される測定値の温度従属性を補償するように前記測定値を補正するための補正関数を導くことを特徴とするオプトエレクトロニクスデバイス用温度補償方法。
IPC (3)：
H01L 33/00
, H01L 31/10
, H01S 3/133
H01L 33/00 J
, H01S 3/133
, H01L 31/10 G
Cited by examiner (7)
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