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J-GLOBAL ID：200903029283704983

気相成長装置

Inventor： 小松 伸壽 ,  佐藤 栄治 ,  近藤 知美 ,  國友 正人
Applicant, Patent owner： 日立電子エンジニアリング株式会社 ,  株式会社日立製作所
Agent (1)： 梶山 佶是 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995336082
Publication number (International publication number)：1997153485
Application date： Nov. 30, 1995
Publication date： Jun. 10, 1997
Summary：

【要約】【課題】 ヒータの使用寿命が長く、膜厚分布が均一な成膜を行うことができる気相成長装置を提供する。【解決手段】 反応炉を有し、該反応炉内に、反応ガス吹出用のガスヘッドと、該ガスヘッドと対峙して上面に基板が載置されるサセプタを有する気相成長装置において、前記サセプタは石英フードの上面に配置され、該石英フード内にヒータが収納されており、前記サセプタは内側サセプタと外側サセプタとからなり、該外側サセプタは上下に複数個に分割されており、外側サセプタと内側サセプタとの間には隙間が存在する気相成長装置。隙間は0.5mm〜1.5mmの範囲内であり、ガスヘッドとサセプタとの間の間隔は100mmである。

Claim (excerpt)：

反応炉を有し、該反応炉内に、反応ガス吹出用のガスヘッドと、該ガスヘッドと対峙して上面に基板が載置されるサセプタを有する気相成長装置において、前記サセプタは石英フードの上面に配置され、該石英フード内にヒータが収納されており、前記サセプタは内側サセプタと外側サセプタとからなり、該外側サセプタは上下に複数個に分割されており、外側サセプタと内側サセプタとの間には隙間が存在することを特徴とする気相成長装置。

IPC (5)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/44 ,  C30B 29/16 ,  C30B 29/18 ,  H01L 21/205

FI (5)：

H01L 21/31 B ,  C23C 16/44 D ,  C30B 29/16 ,  C30B 29/18 ,  H01L 21/205