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J-GLOBAL ID：200903029300354797

高耐圧半導体装置

Inventor： 木下 浩三 ,  畠山 哲夫 ,  四戸 孝
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 大胡 典夫 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002049076
Publication number (International publication number)：2003101039
Application date： Feb. 26, 2002
Publication date： Apr. 04, 2003
Summary：

【要約】【課題】 不純物濃度のばらつきやマスクずれなどによる寸法のばらつきがあっても、耐圧の劣化を防ぐことができる高耐圧半導体装置を提供する。【解決手段】 リサーフ層10の内側に高濃度不純物のガードリング層11を形成し、リサーフ層10の外側にリサーフ層と同程度の不純物濃度のガードリング層12を形成する高耐圧半導体装置。

Claim (excerpt)：

第1導電型の第1半導体層と、前記第1半導体層の表面の一部に形成された第1の電極と、前記第1の半導体層の裏面に形成された第2の電極と、前記第1半導体層の表面に形成された第2導電型の第1低不純物濃度層と、前記第1低不純物濃度層の内部に形成され、前記第1の電極の端部が重なるように配置された第2導電型の第1高不純物濃度層と、前記第1低不純物濃度層の内部に形成され、前記第1高不純物濃度層の周囲を離間して囲むように配置された前記第1高不純物濃度層と同程度の不純物濃度を有する第2導電型の第2高不純物濃度層と、前記第1半導体層の表面に形成され、前記第1低不純物濃度層の周囲を離間して囲むように配置された前記第1低不純物濃度層と同程度の不純物濃度を有する第2導電型の第2低不純物濃度層とを具備することを特徴とする高耐圧半導体装置。

IPC (6)：

H01L 29/872 ,  H01L 29/06 301 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/78 652 ,  H01L 29/861

FI (6)：

H01L 29/06 301 F ,  H01L 29/06 301 G ,  H01L 29/78 652 P ,  H01L 29/48 G ,  H01L 29/48 D ,  H01L 29/91 D

F-Term (22)：

4M104AA03 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104DD78 ,  4M104DD83 ,  4M104FF11 ,  4M104FF16 ,  4M104FF22 ,  4M104FF31 ,  4M104FF35 ,  4M104FF36 ,  4M104GG03 ,  4M104GG06 ,  4M104GG07 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104GG15 ,  4M104GG20 ,  4M104HH15 ,  4M104HH20