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J-GLOBAL ID:200903029309703360

半導体装置の入力保護回路

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 高矢 諭 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993152532
Publication number (International publication number):1995022581
Application date: Jun. 24, 1993
Publication date: Jan. 24, 1995
Summary:
【要約】【目的】 静電気による半導体装置の破壊を防止する入力保護回路のレイアウト面積を小さくして、素子の集積度を向上する。【構成】 入力保護抵抗体として、半導体装置の基板10に形成されたウェル抵抗40を用いる。
Claim (excerpt):
半導体装置の静電気による破壊を防止するための入力保護回路において、入力保護抵抗体として、半導体装置の基板に形成されたウェル抵抗を用いることを特徴とする半導体装置の入力保護回路。
IPC (2):
H01L 27/04 ,  H01L 21/822

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