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J-GLOBAL ID：200903029311838834

窒化ケイ素材のCVD合成

Inventor： トッド,マイケル・エー
Applicant, Patent owner： 日本エー・エス・エム株式会社
Agent (1)： 竹内 澄夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001131880
Publication number (International publication number)：2001358139
Application date： Apr. 27, 2001
Publication date： Dec. 26, 2001
Summary：

【要約】【課題】 マイクロエレクトロニクス製造において使用に,より好適なよりよい性質の,低水素量の窒化ケイ素材の生成のためのプロセスを提供する。【解決手段】低水素量の窒化ケイ素材が,種々のCVDおよびPECVDにより,ケイ素原子,窒素原子,または両方を含む化学前駆体を使用して付着される。好適な化学前駆体が一つ以上のN-Si結合を含む。他の好適な化学前駆体が,9.5重量%以下の水素を含むSiを含む化学前駆体と,Nを含む化学前駆体との混合物である。好適な実施例が,PECVDにより付着された窒化ケイ素材のハロゲン量を最小にするために水素源を使用する。

Claim (excerpt)：

蒸気相の前駆体から窒化ケイ素材を,基板に付着するプロセスであって,基板が配置される付着チェンバーを与えることと,熱分解により,前記基板上に窒化ケイ素材を付着するために,一つ以上のN-Si化学結合を含む化学前駆体を,前記チェンバーに導入することと,を含むプロセス。

IPC (3)：

H01L 21/318 ,  C01B 21/068 ,  C23C 16/42

FI (3)：

H01L 21/318 B ,  C01B 21/068 Y ,  C23C 16/42

F-Term (15)：

4K030AA03 ,  4K030AA04 ,  4K030AA06 ,  4K030BA40 ,  4K030CA04 ,  4K030FA01 ,  4K030FA10 ,  4K030JA10 ,  4K030LA15 ,  5F058BC08 ,  5F058BF02 ,  5F058BF07 ,  5F058BF22 ,  5F058BF24 ,  5F058BF30