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J-GLOBAL ID:200903029322502900
スルホニウム塩
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
小島 隆司
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995186168
Publication number (International publication number):1997012537
Application date: Jun. 29, 1995
Publication date: Jan. 14, 1997
Summary:
【要約】【目的】 微細加工技術に適した高解像度を有し、化学増幅ポジ型レジスト材料の成分として好適な成分を開発する。【構成】 下記一般式(1)で示され、分子中のフェニル基の3位に少なくとも1つの酸不安定基を有することを特徴とするスルホニウム塩。【化1】(但し、式中R1は水素原子、アルキル基、アルコキシ基又はジアルキルアミノ基であり、OR2は酸不安定基であり、Yは置換又は非置換のアルキルスルホネート又はアリールスルホネートである。nは0〜2の整数、mは1〜3の整数で、かつnとmの和は3である。)
Claim (excerpt):
下記一般式(1)で示され、分子中のフェニル基の3位に少なくとも1つの酸不安定基を有することを特徴とするスルホニウム塩。【化1】(但し、式中R1は水素原子、アルキル基、アルコキシ基又はジアルキルアミノ基であり、OR2は酸不安定基であり、Yは置換又は非置換のアルキルスルホネート又はアリールスルホネートである。nは0〜2の整数、mは1〜3の整数で、かつnとmの和は3である。)
IPC (3):
C07C381/12
, G03F 7/004 503
, H01L 21/027
FI (3):
C07C381/12
, G03F 7/004 503
, H01L 21/30 502 R
Patent cited by the Patent:
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