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J-GLOBAL ID：200903029325541249

半導体レーザ装置

Inventor： 井上 泰明 ,  水口 公秀 ,  別所 靖之 ,  吉年 慶一 ,  山口 隆夫 ,  米山 裕文 ,  野一色 慶夫
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社 ,  鳥取三洋電機株式会社
Agent (1)： 西野 卓嗣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992227144
Publication number (International publication number)：1994077604
Application date： Aug. 26, 1992
Publication date： Mar. 18, 1994
Summary：

【要約】【目的】 放熱が十分行え、且つ機械的強度に優れるユニットタイプの半導体レーザ装置を提供することを目的とする。【構成】 前端部に凹部6を持つと共に後端部に端子部4を持つ第1リード1と、この第1リード1の凹部6の底面上に載置された受光素子9と、その受光素子9上に載置されかつ前方に出射面を有する半導体レーザ素子14と、前記第1リード1と離間しかつ該第1リードの端子部と平行に配置された第2、第3リード7、8と、前記半導体レーザ素子14の出射面と前記凹部6下面を露出し且つ前記各リード1、7、8を挟持するように形成された絶縁枠50とを備えた構成とした。

Claim (excerpt)：

前端部に凹部を持つと共に後端部に端子部を持つ第1リードと、該第1リードの凹部の底面上に載置された受光素子と、その受光素子に近接して前記凹部上に配置されかつ前方に出射面を有する半導体レーザ素子と、前記第1リードと離間しかつ該第1リードの端子部と平行に配置された第2、第3リードと、前記半導体レーザ素子の出射面と前記凹部下面を露出し且つ前記各リードを挟持するように形成された絶縁枠とを具備したことを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (3)：

H01S 3/18 ,  H01L 23/48 ,  H01L 31/12