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J-GLOBAL ID:200903029329048938

ウェーハ研磨方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小林 英一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993127442
Publication number (International publication number):1994338483
Application date: May. 28, 1993
Publication date: Dec. 06, 1994
Summary:
【要約】【目的】 ウェーハの研磨方法を提供する。【構成】 プレート1に保持された半導体ウェーハ2の表面を研磨定盤3上に貼付けられた研磨布4で研磨剤6を滴下しながら研磨する際に、研磨圧力を130 〜200gf/cm2 とすることにより、ウェーハ表面に生じる加工歪を制御しながら、短時間の研磨で良好な研磨面粗度を有するウェーハを得ることを可能とする。
Claim (excerpt):
プレートに保持された半導体ウェーハの表面を研磨定盤上に貼付けられた研磨布で研磨剤を滴下しながら研磨する方法において、研磨時に作用させる研磨圧力を130 〜200gf/cm2 とすることを特徴とするウェーハ研磨方法。
IPC (2):
H01L 21/304 321 ,  B24B 37/00

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