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J-GLOBAL ID：200903029331758942

有機薄膜半導体素子及びその製造方法

Inventor： 宮口 敏
Applicant, Patent owner： パイオニア株式会社
Agent (1)： 藤村 元彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002058537
Publication number (International publication number)：2003258267
Application date： Mar. 05, 2002
Publication date： Sep. 12, 2003
Summary：

【要約】【課題】 ドレイン及びソース電極との間のリーク電流の発生を抑制した有機薄膜スイッチング素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 ソース及びドレイン電極間に成膜されたキャリア移動性の有機半導体層を備えた有機薄膜半導体素子であって、有機半導体層に包埋されたゲート電極を備えている。有機半導体層の融解によりゲート電極が包埋される。

Claim (excerpt)：

ソース及びドレイン電極間に成膜されたキャリア移動性の有機半導体層を備えた有機薄膜半導体素子であって、前記有機半導体層に包埋されたゲート電極を備えたことを特徴とする有機薄膜半導体素子。

IPC (4)：

H01L 29/80 ,  H01L 29/78 654 ,  H01L 51/00 ,  H05B 33/14

FI (4)：

H01L 29/78 654 C ,  H05B 33/14 A ,  H01L 29/80 V ,  H01L 29/28

F-Term (11)：

3K007DB03 ,  3K007GA00 ,  5F102FB01 ,  5F102GB04 ,  5F102GC08 ,  5F102GD10 ,  5F102GL01 ,  5F102GR11 ,  5F102GS09 ,  5F102GT02 ,  5F102HC21