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J-GLOBAL ID：200903029332554801

シリコンウエハ研磨排水の処理方法

Inventor： 大河内 徹
Applicant, Patent owner： オルガノ株式会社
Agent (1)： 赤塚 賢次 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998096900
Publication number (International publication number)：1999267693
Application date： Mar. 25, 1998
Publication date： Oct. 05, 1999
Summary：

【要約】【課題】 半導体シリコンウエハ製造工程から排出される種々の研磨廃液又は研磨排水を処理する際、従来、個別の処理に使用されていた薬剤などを削減すること、また、界面活性剤を含む研磨濃厚廃液を易生分解性有機物をより多く含む処理水とすることで後段の活性炭の負荷を軽減することなどの合理的な処理方法を提供すること。【解決手段】 半導体シリコンウエハ製造工程10から排出される排水の処理方法であって、前記製造工程10から排出される有機系界面活性剤を含む研磨濃厚廃液と、前記製造工程10から排出されるアンモニア-過酸化水素の混合廃液と、第1鉄塩とを酸性下で混合して有機物を酸化槽1で酸化する第1工程、前記第1工程の処理水と、前記製造工程から排出される懸濁物を含む研磨希薄排水とを混合し、pH調整して、前記第1工程の処理水に含まれる第2鉄塩を水酸化鉄として凝集槽2で凝集沈澱する第2工程、及び前記第2工程の処理水を生物学的処理装置4で処理する第3工程、を有するシリコンウエハ研磨排水の処理方法。

Claim (excerpt)：

半導体シリコンウエハ製造工程から排出される排水の処理方法であって、次の、(A)、(B)及び(C)の各工程;(A)前記製造工程から排出される有機系界面活性剤を含む研磨濃厚廃液と、前記製造工程から排出されるアンモニア-過酸化水素の混合廃液と、第1鉄塩とを酸性下で混合して有機物を酸化する第1工程、(B)前記第1工程の処理水をpH調整して、前記第1工程の処理水に含まれる第2鉄塩を水酸化鉄として凝集沈澱する第2工程、(C)前記第2工程の処理水を生物学的処理する第3工程、を有することを特徴とするシリコンウエハ研磨排水の処理方法。

IPC (5)：

C02F 9/00 503 ,  C02F 9/00 ,  C02F 9/00 502 ,  C02F 9/00 504 ,  H01L 21/304 622

FI (7)：

C02F 9/00 503 C ,  C02F 9/00 503 G ,  C02F 9/00 502 P ,  C02F 9/00 502 R ,  C02F 9/00 504 A ,  C02F 9/00 504 E ,  H01L 21/304 622 Z