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J-GLOBAL ID:200903029334090748

低温中性子イメージ検出器

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (6): 小野 新次郎 ,  社本 一夫 ,  小林 泰 ,  千葉 昭男 ,  富田 博行 ,  松山 美奈子
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2009007510
Publication number (International publication number):2009115818
Application date: Jan. 16, 2009
Publication date: May. 28, 2009
Summary:
【解決課題】500ミクロン以下の位置分解能と中性子感度の位置一様性に極めて優れた中性子イメージ検出器を提供する。【解決手段】低温に冷却可能な耐圧力性チャンバー内部に液体ヘリウム3を封入し、ヘリウム3が中性子を捕獲した際に放出されるプロトンあるいはトリトンを前記耐圧力性チャンバー内部に配置した低温粒子線検出素子で検出して中性子を検出する液体ヘリウム3検出器を構成し、その動作温度Tを3.19K以下で動作させ、前記低温粒子線検出素子としてInSb半導体検出素子を使用する場合にはその空乏層幅を5.8ミクロン以下とし、前記低温粒子検出素子としてSi半導体検出素子を使用する場合にはその空乏層幅を7.3ミクロン以下とすることにより、高い中性子検出位置分解能を持つ中性子イメージ検出器を実現する。【選択図】図3
Claim (excerpt):
低温に冷却可能な耐圧力性チャンバー内部に液体ヘリウム3を封入し、ヘリウム3が中性子を捕獲した際に放出されるプロトンあるいはトリトンを前記耐圧力性チャンバー内部に配置した低温粒子線検出素子で検出して中性子を検出する液体ヘリウム3検出器を構成し、その動作温度Tを3.19K以下で動作させ、前記低温粒子線検出素子としてInSb半導体検出素子を使用し、かつその空乏層幅を5.8ミクロン以下とすることを特徴とする低温中性子イメージ検出器。
IPC (1):
G01T 3/08
FI (1):
G01T3/08
F-Term (8):
2G088EE29 ,  2G088FF09 ,  2G088FF18 ,  2G088GG05 ,  2G088GG21 ,  2G088JJ05 ,  2G088JJ37 ,  2G088KK35
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
Article cited by the Patent:
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