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J-GLOBAL ID：200903029352572288

半導体装置

Inventor： 一ノ瀬 茂則
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994021521
Publication number (International publication number)：1995231040
Application date： Feb. 18, 1994
Publication date： Aug. 29, 1995
Summary：

【要約】【目的】 フューズを有する半導体装置に関し,フューズ溶断の際に保護膜やその下の層間絶縁膜に生じる穴の深さを低減して,デバイスの信頼性を向上する。【構成】 1)半導体基板 1上に被着された最上層の絶縁膜 8上に形成された導電膜 9からなるフューズを有する半導体装置,2)前記導電膜 9がパッド10とバンプ11間に挿入するバリアメタル膜である。

Claim (excerpt)：

半導体基板(1) 上に被着された最上層の絶縁膜(8) 上に形成された導電膜(9) からなるフューズを有することを特徴とする半導体装置。