Pat

J-GLOBAL ID：200903029357654223

薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード

Inventor： 岩崎 達哉
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (3)： 山下 穣平 ,  志村 博 ,  永井 道雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005258272
Publication number (International publication number)：2007073703
Application date： Sep. 06, 2005
Publication date： Mar. 22, 2007
Summary：

【課題】 酸化物を半導体層に用いた半導体デバイスである、薄膜トランジスタ又は薄膜ダイオードにおいて、光の透過率を高める。【解決手段】 可視光に対して透明な酸化物半導体からなるチャネル層を有した薄膜トランジスタであって、屈折率nxのチャネル層11と、該チャネル層11の一方の面に接したゲート絶縁層12と該チャネル層11の他方の面に接した屈折率ntの透明層16とを有し、nx>ntである。また、屈折率noの基板10と、該基板10上に配した屈折率ntの透明層16と該透明層16上に配した屈折率nxのチャネル層11とを有し、nx>nt>noなる関係を有する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

可視光に対して透明な酸化物半導体からなるチャネル層を有した薄膜トランジスタであって、 屈折率nxのチャネル層と、該チャネル層の一方の面に接したゲート絶縁層と、該チャネル層の他方の面に接した屈折率ntの透明層とを有し、nx>ntであることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (2)：

H01L 29/786 ,  H01L 29/861

FI (3)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/91 F

F-Term (24)：

5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD06 ,  5F110DD12 ,  5F110EE07 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF05 ,  5F110FF27 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG15 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110HK07 ,  5F110NN71 ,  5F110QQ09