Pat

J-GLOBAL ID：200903029368211650

窒化物エッチングプロセス

Inventor： ピーター アール. ケスウィック ,  ジェフリー マークス ,  レッガ テケステ ,  ギルロイ ジョン バンデントップ
Applicant, Patent owner： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ,  インテル・コーポレーション
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995011548
Publication number (International publication number)：1996059215
Application date： Jan. 27, 1995
Publication date： Mar. 05, 1996
Summary：

【要約】【目的】 酸化珪素、珪化金属又はシリコンの存在下で窒化珪素を選択的にエッチングするプロセス。【構成】 本発明のプラズマエッチングプロセスは、式CHX F4-X 、Xは2〜3、好適には3、で示されるヒドロフルオロカーボンと、O2 、CO、CO2 又はこれらの混合物、好適にはCO若しくはCO2 又はこれらの混合物等の、酸素含有ガスとの混合物を用いてプラズマエッチングチャンバ内にプラズマを発生させるステップと;エッチングされる材料を保持するカソード支持体に、直径200mmの円形の基板に対して約100〜約500ワットであると等価な低電力バイアスを維持するステップとを備える。窒化物に対しての酸化物の前記エッチングプロセスの選択性が少なくとも4:1となるように、且つ、窒化物に対しての珪化物若しくはシリコンの前記エッチングプロセスの選択性が少なくとも50:1となる。

Claim (excerpt)：

a)1)式CHX F4-X 、Xは2〜3、を有するヒドロフルオロカーボンガス及びこの混合物と、2)酸素含有ガスとの混合物を用いてプラズマエッチングチャンバ内にプラズマを形成するステップと、b)充分に低い電力バイアスを選択して、酸化珪素、珪化金属及びシリコンの存在下で、前記プラズマが窒化珪素を選択的にエッチングするステップとを備える窒化珪素のプラズマエッチングプロセス。

IPC (2)：

C01B 21/068 ,  H01L 21/3065