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J-GLOBAL ID：200903029376825179

電磁波励起プラズマエッチング方法

Inventor： 木下 靖
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992014901
Publication number (International publication number)：1993211139
Application date： Jan. 30, 1992
Publication date： Aug. 20, 1993
Summary：

【要約】【目的】半導体集積回路の微細加工に伴って加工材料面に段差が発生する場合に、高段差のある加工面を異方性を保ちながら加工材料下層の膜厚を減少させずにエッチングする。【構成】半導体シリコン4などの被エッチング材料の表面段差1の生じている部分にエキシマレーザー光(波長248nm)などのコヒーレンス性の高い電磁波2をマスク3を介して選択的に照射する。そして、この手順を繰り返しながらプラズマを用いてエッチングする。または電磁波2を基板全面に照射する際、レーザー光の強度を補正するフィルター6を用いて行う。

Claim (excerpt)：

コヒーレンス性が高くかつ波長496nm以下の電磁波を、被加工材料である半導体シリコン表面に選択的に照射しながらプラズマエッチングすることを特徴とする電磁波励起プラズマエッチング方法。