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J-GLOBAL ID:200903029380468887

半導体製造用ガス供給設備におけるガス漏洩監視装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 豊田 武久 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996206672
Publication number (International publication number):1998030798
Application date: Jul. 17, 1996
Publication date: Feb. 03, 1998
Summary:
【要約】【課題】 半導体製造用の有害ガスを供給する設備においてガス供給配管からの有害ガスの漏洩を監視するにあたり、漏洩検出後の点検、修理時や地震等によって退避した後の点検、復旧時などにおいても、危険のない安全な状態であることを確実に確認し得るようにして安全性を高める。【解決手段】 ガス配管内のガス濃度、もしくはガス濃度と圧力とを検出するための配管内ガス検出手段と、ガス配管からの漏洩ガスをガス配管外部で検出するための漏洩ガス検出手段と、前記配管内ガス検出手段からの検出信号および前記漏洩ガス検出手段からの検出信号を受入れてこれらの検出信号に基いてガス供給状態を判別しかつその判別結果に基いて表示もしくは警報を発生させる判別手段とを有してなり、特に安全な状態、注意すべき状態、危険な状態、さらにはセンサ等の故障による異常な状態のうち、いずれの状態にあるかを常時判別、監視し得るようにした。
Claim (excerpt):
半導体製造用ガスを供給するためのガス供給配管を備えた半導体製造用ガス供給設備において、前記ガス供給配管内のガス濃度、もしくはガス濃度と圧力とを検出するための配管内ガス検出手段と、ガス供給配管からの漏洩ガスをガス供給配管外部で検出するための漏洩ガス検出手段と、前記配管内ガス検出手段からの検出信号および前記漏洩ガス検出手段からの検出信号を受入れてこれらの検出信号に基いてガス供給状態を判別しかつその判別結果に基いて表示もしくは警報を発生させる判別制御手段とを有してなることを特徴とする、半導体製造用ガス供給設備におけるガス漏洩監視装置。
IPC (3):
F17C 13/12 301 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31
FI (3):
F17C 13/12 301 Z ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 B

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