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J-GLOBAL ID：200903029385450625

半導体装置の製造方法

Inventor： 森 健壹
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 宮田 金雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999037330
Publication number (International publication number)：2000235980
Application date： Feb. 16, 1999
Publication date： Aug. 29, 2000
Summary：

【要約】【課題】 化学的機械研磨法により埋め込み金属配線層を形成する場合において、埋め込み金属配線層および層間絶縁膜表面の削れによって発生するくぼみを低減し、信頼性の高い配線構造を有した半導体装置の製造方法を得るものである。【解決手段】 半導体基板1上の絶縁膜20の表面に形成された金属膜26をあらかじめエッチング除去してから化学的機械研磨法により研磨する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の主表面に凹部を形成する工程と、前記絶縁膜の凹部を被覆する金属膜を形成する工程と、前記金属膜上に前記凹部を覆う薄膜を形成する工程と、前記薄膜をマスクに前記金属膜をエッチングする工程と、前記金属膜を化学的機械研磨する工程とを備えた半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/3213

FI (3)：

H01L 21/88 K ,  H01L 21/304 622 X ,  H01L 21/88 C

F-Term (37)：

5F033HH04 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH27 ,  5F033HH30 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ04 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ27 ,  5F033JJ30 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ48 ,  5F033XX01 ,  5F033XX20 ,  5F033XX33