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J-GLOBAL ID：200903029389705270

サーフェススキミングレーザを作るためのモノリシック半導体デバイス

Inventor： ロバート エル.ソーントン
Applicant, Patent owner： ゼロックス コーポレイション
Agent (1)： 中島 淳 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993248898
Publication number (International publication number)：1994224518
Application date： Oct. 05, 1993
Publication date： Aug. 12, 1994
Summary：

【要約】【目的】 お互いに相関して正確に配列され、また例えば多極・多色ROSに相応しい多波長レーザ光源を得る。【構成】 デバイスは、結晶の表面に向かって徐々に狭くなる、即ち徐々に長い波長操作となるバンドギャップ量子ウェル活性領域を備えた側部注入レーザの形で、半導体基板上に一組のエピタキシャル層を成長させることによって作られる。次に、所定のキャビティの中で最終的に望ましい波長より短い放射で、全ての量子ウェルを除去するために、選択的エッチングを使用することができる。【効果】 このアプローチは3つの異なる型のレーザ構造、従来のエッジ放射レーザ、格子表面放射レーザ、そして垂直表面放射レーザ等に適用できる。更に、活性領域の下にIII-V 族半導体層、及び活性領域の上に反射ミラーを含んだ、垂直キャビティの側部注入型表面放射レーザが説明される。

Claim (excerpt)：

(a) 半導体基板部分を有する本体と、(b) 前記基板部分上の半導体層のスタックから成り、前記半導体層のスタックは前記基板部分と向い合った本体の表面に隣接し、第1及び第2の波長を各々有する第1及び第2の放射ビームを発生させるため、各々第1及び第2のサーフェススキミングレーザの第1及び第2のレイジング活性領域を形成することを特徴とするサーフェススキミングレーザを作るためのモノリシック半導体デバイス。