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J-GLOBAL ID：200903029392804114

半導体装置の製造方法

Inventor： 横山 茂 ,  若林 猛
Applicant, Patent owner： カシオ計算機株式会社
Agent (1)： 杉村 次郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994092900
Publication number (International publication number)：1995283172
Application date： Apr. 07, 1994
Publication date： Oct. 27, 1995
Summary：

【要約】【目的】 ダイシングブレードの寿命を延ばす。【構成】 下地金属層形成用層35の中央部のバンプ電極形成領域35aを除く部分と下地金属層形成用層35の外周部35bのダイシングストリート36に対応する部分とにメッキレジスト層37を形成する。そして、バンプ電極38を形成するためにメッキ処理を行うと、外周部35bのダイシングストリート36に対応する部分を除く部分にメッキ層39が形成され、ダイシングストリート36に対応する部分にはメッキ層39が形成されない。したがって、ダイシングブレードによってダイシングする際に、メッキ層39を切断することがない。

Claim (excerpt)：

半導体基板の全上面に下地金属層形成用層を形成し、前記下地金属層形成用層の中央部のバンプ電極形成領域を除く部分と前記下地金属層形成用層の外周部のダイシングストリートに対応する部分とにメッキレジスト層を形成し、メッキ処理を行うことにより、前記下地金属層形成用層の中央部のバンプ電極形成領域と前記下地金属層形成用層の外周部のダイシングストリートに対応する部分を除く部分とにメッキ層を形成し、前記メッキレジスト層および該メッキレジスト層下の前記下地金属層形成用層を除去した後、前記ダイシングストリートに沿ってダイシングすることにより、所定のサイズのチップを複数個得る、ようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

FI (2)：

H01L 21/78 L ,  H01L 21/78 S