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J-GLOBAL ID：200903029396753050

化合物半導体装置

Inventor： 森 光廣 ,  ▲高▼谷 信一郎 ,  寺野 昭久
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996065766
Publication number (International publication number)：1997260402
Application date： Mar. 22, 1996
Publication date： Oct. 03, 1997
Summary：

【要約】【課題】ショットキゲ-トのような接合型ゲ-トの化合物半導体電界効果型トランジスタを有する半導体装置において、ゲ-ト電極の横の化合物半導体表面を安定化することにある。【解決手段】接合型ゲ-ト電極端からの横方向の空乏層の延び分の少なくとも一部分を覆うように、ゲ-ト電極横のソース,ドレインの少なくとも一方の側の化合物半導体表面にLaB6等の希土類元素の六硼化物薄膜を形成する。空乏層の延び分全てを覆うように希土類元素の六硼化物薄膜を形成することが好ましい。【効果】化合物半導体ショットキゲ-ト電界効果型トランジスタの高出力動作時におけるドレイン電流ドリフトおよび出力変動を抑制できる。

Claim (excerpt)：

接合型ゲ-ト電極端からの横方向の空乏層の延び分の少なくとも一部分を覆うように、上記接合型ゲ-ト電極横のソース,ドレインの少なくとも一方の側の化合物半導体表面に希土類元素の六硼化物薄膜が形成された電界効果トランジスタを有することを特徴とする化合物半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/872

FI (4)：

H01L 29/80 F ,  H01L 29/48 F ,  H01L 29/48 M ,  H01L 29/48 H