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J-GLOBAL ID：200903029401442085
化学気相蒸着用金属アルコキシド組成物及びそれを用いた絶縁膜の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山口 和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992080524
Publication number (International publication number)：1993247650
Application date： Mar. 02, 1992
Publication date： Sep. 24, 1993
Summary：
【要約】【目的】 、LSI製造に用いる高誘電率絶縁膜を形成するための化学気相蒸着原料に適した、デポレート性に優れ、加水分解性が抑制されたタンタルエトキシド等の金属アルコキシド組成物の提供、およびそれを用いた化学気相蒸着法によるLSIのキャパシター絶縁膜の製造方法の提供。【構成】 金属アルコキシドに5〜40%の共沸性有機溶剤を添加してなる化学気相蒸着原料として使用する金属アルコキシド組成物、およびこの金属アルコキシド組成物を加熱してキャリアーガスとともに反応領域に導入し、基板上で分解して金属酸化物薄膜を析出成長させることを特徴とする化学気相蒸着法によるLSIのキャパシター絶縁膜の製造方法。
Claim (excerpt)：
金属アルコキシドに5〜40%の共沸性有機溶剤を添加してなる化学気相蒸着原料として使用する金属アルコキシド組成物。
IPC (5)：
C23C 16/18
, C01B 13/14
, H01L 21/316
, C01G 35/00
, C07C 31/28
