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J-GLOBAL ID：200903029402059277

半導体素子の製造方法

Inventor： 成田 武憲 ,  倉田 靖 ,  森嶋 浩之 ,  本田 善彦 ,  横塚 俊亮 ,  松倉 郁生
Applicant, Patent owner： 日立化成工業株式会社 ,  旭硝子株式会社
Agent (1)： 若林 邦彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999091610
Publication number (International publication number)：2000286255
Application date： Mar. 31, 1999
Publication date： Oct. 13, 2000
Summary：

【要約】【課題】 低誘電率でグローバル平坦化された層間絶縁膜を形成するため、誘電率2.5以下の有機絶縁膜を研磨剤により研磨する工程を含む半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板に比誘電率2.5以下の絶縁膜層を形成し、その絶縁膜層を研磨剤で研磨する工程を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。

Claim (excerpt)：

半導体基板に比誘電率2.5以下の絶縁膜の層を形成し、その絶縁膜層を研磨剤で研磨する工程を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/316 ,  C08L 83/04 ,  H01L 21/283 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/768

FI (5)：

H01L 21/316 G ,  C08L 83/04 ,  H01L 21/283 C ,  H01L 21/304 622 D ,  H01L 21/90 S

F-Term (33)：

4J002BD15W ,  4J002BD16W ,  4J002BE04W ,  4J002CP03X ,  4J002CP08X ,  4J002EX066 ,  4J002EX076 ,  4J002GQ05 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ50 ,  5F033RR06 ,  5F033RR23 ,  5F033RR24 ,  5F033SS15 ,  5F033SS22 ,  5F033TT04 ,  5F033WW03 ,  5F033WW04 ,  5F033WW09 ,  5F033XX01 ,  5F033XX24 ,  5F033XX27 ,  5F058AC03 ,  5F058AC05 ,  5F058AF04 ,  5F058BA09 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC05 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 低誘電率樹脂組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-229117   Applicant：旭硝子株式会社, 日立化成工業株式会社