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J-GLOBAL ID：200903029413280358

半導体メモリ装置の製造方法

Inventor： 西原 利幸
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 土屋 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991027938
Publication number (International publication number)：1994069445
Application date： Jan. 29, 1991
Publication date： Mar. 11, 1994
Summary：

【要約】【目的】周辺回路部のソ-ス・ドレイン拡散層のみをシリサイド化した半導体メモリ装置を少ない工程で製造することができる様にする。【構成】セルプレ-ト34でメモリセルアレイ部13を覆った状態で、周辺回路部14のソ-ス・ドレイン拡散層24をシリサイド化する。このため、専用の被覆膜でメモリセルアレイ部13を覆う必要がなく、この被覆膜の堆積及びパタ-ニングという工程が不要である。

Claim (excerpt)：

トランジスタとキャパシタとでメモリセルが構成されている半導体メモリ装置の製造方法において、前記キャパシタの対向電極でメモリセルアレイ部を覆った状態で、周辺回路部のソ-ス・ドレイン拡散層をシリサイド化する半導体メモリ装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 27/108 ,  H01L 27/04