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J-GLOBAL ID：200903029425360918

加速度センサ及びその製造方法

Inventor： 石田 竜也 ,  渡辺 明彦
Applicant, Patent owner： 株式会社東海理化電機製作所
Agent (1)： 恩田 博宣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995035513
Publication number (International publication number)：1996236784
Application date： Feb. 23, 1995
Publication date： Sep. 13, 1996
Summary：

【要約】【目的】 小型化及び高感度化を達成できる加速度センサを提供すること。【構成】 この加速度センサ1は、歪みゲージ5形成用の肉薄部3とマス部6と空洞部7と連通口9とを備えている。肉薄部3は、p型シリコン基板2の表面側に形成される。マス部6は、肉薄部3の下部から突出する。空洞部7は、肉薄部3の下面側においてマス部6の基端部を包囲する。連通口9は、空洞部7とp型シリコン基板2の裏面側とを連通させる。マス部6は略四角錐台状であり、その基端部はくびれている。空洞部7の幅w3 は連通口9の幅w6 よりも大きい。

Claim (excerpt)：

p型単結晶シリコン基板(2)の表面側に形成されるとともにn型シリコン層(4)からなる歪みゲージ形成用の肉薄部(3)と、前記肉薄部(3)の下部から突出するマス部(6)と、前記肉薄部(3)の下面側において前記マス部(6)の基端部を包囲する空洞部(7)と、前記空洞部(7)と前記p型単結晶シリコン基板(2)の裏面側とを連通させる連通口(9)とを備える加速度センサ(1,31,36,41,46)であって、前記空洞部(7)の幅(w3 )は前記連通口(9)の幅(w6 )よりも大きい加速度センサ。

IPC (2)：

H01L 29/84 ,  G01P 15/12

FI (2)：

H01L 29/84 A ,  G01P 15/12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• シリコン半導体圧力計の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-241604   Applicant：横河電機株式会社
• 特開昭64-050532