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J-GLOBAL ID：200903029429287506
絶縁ゲート形バイポーラトランジスタの過電流保護方式
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
杉村 暁秀 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992295782
Publication number (International publication number)：1994152353
Application date： Nov. 05, 1992
Publication date： May. 31, 1994
Summary：
【要約】【目的】 絶縁ゲート形バイポーラトランジスタで過電流保護時に行われるソフト遮断動作を緩やかに行うことによって、印加される過電圧を抑制し、素子を破壊することなく確実な過電流保護の動作を確立する。【構成】 絶縁ゲート形バイポーラトランジスタの過電流流通時、ゲート-エミッタ間電圧をコンデンサと抵抗の時定数に基づいて緩やかに降下させることで電流をソフト遮断する絶縁ゲート形バイポーラトランジスタで過電流保護方式において、絶縁ゲート形バイポーラトランジスタの電流が十分低下した時点で前記コンデンサを別の抵抗を介して放電することにより、ゲート-エミッタ間電圧の降下具合を早める。
Claim (excerpt)：
抵抗とコンデンサで決定された時定数によってゲート-エミッタ間電圧を緩やかに低下させ、電流を緩やかに遮断することで行われる絶縁ゲート形バイポーラトランジスタの過電流保護方式において、遮断動作開始後一定時間をおいて前記コンデンサを放電させ、ゲート-エミッタ間電圧の低下具合を速めることを特徴とする、絶縁ゲート形バイポーラトランジスタの過電流保護方式。
IPC (2)：
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