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J-GLOBAL ID：200903029429311814

半導体レーザ素子搭載用基板および半導体レーザモジュール

Inventor：
井上 友喜

About 井上 友喜


Applicant, Patent owner：
京セラ株式会社

About 京セラ株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999279588
Publication number (International publication number)：2001102674
Application date： Sep. 30, 1999
Publication date： Apr. 13, 2001
Summary：
【要約】【課題】LD素子に対して迅速かつ高精度な温度制御を行ない得るとともにLD基板に搭載される部品点数を少なくしてLDモジュールの組み立てを容易とすること。【解決手段】絶縁基板7上に半導体レーザ素子4を搭載する搭載部8を有するとともに、搭載部8直下の絶縁基板7内部に発熱抵抗体9が埋設されており、かつ絶縁基板7の内部または上面に測温抵抗体5が形成されているLD基板6およびこれを使用したLDモジュールである。LD素子4の作動停止時にLD素子4を作動時と同様の高温としておくことができ、LD素子4の作動開始時等に迅速かつ高精度の温度制御を可能とするとともにLD基板にサーミスタ等の測温素子を搭載する必要がなく、LDモジュールの組み立てが容易である。
Claim (excerpt)：
絶縁基板上に半導体レーザ素子を搭載する搭載部を有するとともに、該搭載部直下の絶縁基板内部に発熱抵抗体が埋設されており、かつ前記絶縁基板の内部または上面に測温抵抗体が形成されていることを特徴とする半導体レーザ素子搭載用基板。
IPC (3)：
H01S 5/022 ,  G02B 6/42 ,  H01S 5/024
FI (3)：
H01S 5/022 ,  G02B 6/42 ,  H01S 5/024
F-Term (10)：
2H037AA01 ,  2H037BA02 ,  2H037DA03 ,  2H037DA04 ,  2H037DA06 ,  2H037DA15 ,  2H037DA16 ,  5F073FA15 ,  5F073FA25 ,  5F073GA23
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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