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J-GLOBAL ID：200903029430265672

光半導体電極、およびそれを用いた光電池

Inventor： 高田 北斗 ,  廣瀬 英一 ,  小野 好之 ,  今井 彰 ,  佐藤 克洋
Applicant, Patent owner： 富士ゼロックス株式会社
Agent (1)： 中島 淳 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998199079
Publication number (International publication number)：1999265738
Application date： Jul. 14, 1998
Publication date： Sep. 28, 1999
Summary：

【要約】【課題】 光電変換効率、安定性に優れ、安価にかつ容易に製造可能な光半導体電極、およびそれを用いた光電池。【解決手段】 導電性基体と、この導電性基体上に設けられた光電変換層を有し、対向電極と共に電解質に接触した状態で使用される光半導体電極であって、光電変換層は有機顔料を保持した構造からなる。光電池は、前記光半導体電極と対向電極と一体的に使用され、電解質に接触した状態で配置される。有機顔料は、チタニルフタロシアニン、クロロガリウムフタロシアニン、ヒドロキシガリウムフタロシアニン等のフタロシアニン等系顔料、あるいはナフタロシアニン系顔料が好適に使用される。

Claim (excerpt)：

導電性基体上に光電変換層を有し、対向電極と共に電解質に接触する状態で使用される光半導体電極であって、前記光電変換層が有機顔料を保持した層からなることを特徴とする光半導体電極。

IPC (2)：

H01M 14/00 ,  H01L 31/04

FI (2)：

H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 D