Pat

J-GLOBAL ID：200903029442663070

高圧プラズマ処理方法および装置

Inventor： イヴォ ジェイ. ラーイジュメイカーズ ,  ジェイム ナルマン
Applicant, Patent owner： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995039939
Publication number (International publication number)：1996055829
Application date： Feb. 28, 1995
Publication date： Feb. 27, 1996
Summary：

【要約】【目的】 コンタクトの底部の領域から相当量の材料を除去することなくコンタクトの上方の角の効率的な面取りを可能とすること。【構成】 プラズマチャンバーにウエハを配置するステップ60と;前記プラズマチャンバーにガスを流すステップ62と;第一の圧力で前記チャンバー中にプラズマを生じさせるステップ64、66と;前記プラズマを生じさせた後に前記第一の圧力でウエハを第一の期間プラズマエッチングするステップ68、70と;前記チャンバー内の圧力を前記第一の圧力と相違する第二の圧力に移行させるステップ72と;前記第二の圧力でウエハを第二の期間プラズマエッチングするステップ74と;前記第二の期間が経過した後に前記第二の圧力でのプラズマエッチングを停止するステップ76〜80とを含む、ウエハの予備洗浄の方法である。

Claim (excerpt)：

ウエハを予備洗浄する方法であって、プラズマチャンバー内に上記ウエハを配置するステップ;上記プラズマチャンバーの中にガスを流すステップ;第一の圧力を内部に有する前記チャンバー中にプラズマを生じさせるステップ;上記プラズマを生じさせた後に、上記第一の圧力で前記ウエハを第一の期間プラズマエッチングするステップ;前記第一の圧力と相違する第二の圧力に前記チャンバー内の圧力を移行させるステップ;上記第二の圧力で前記ウエハを第二の期間プラズマエッチングするステップ;および上記第二の期間が経過した後に、前記第二の圧力でのプラズマエッチングを停止するステップを含む方法。

IPC (5)：

H01L 21/304 341 ,  B08B 7/00 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/46

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-023323
  
• 特開平4-107920
  
• 特開平4-102320