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J-GLOBAL ID：200903029456982623

反応室の洗浄方法

Inventor： ツフオニミール ガブリーク ,  アレクサンダー ゲシユワントナー ,  オスワルト シユピントラー
Applicant, Patent owner： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
Agent (1)： 富村 潔
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993028576
Publication number (International publication number)：1993267256
Application date： Jan. 25, 1993
Publication date： Oct. 15, 1993
Summary：

【要約】【目的】 特にシリコン基板上に層を析出及びエッチングする場合に使用される反応室をプラズマエッチングにより迅速かつ傷をつけないように洗浄する方法を提供する。【構成】 酸化珪素又は窒化珪素からなる寄生層を洗浄するのにエッチングガス混合物を使用し、その主成分は少なくともフッ化炭素、特にCF4 及び/又はC2F6とし、これにできるだけ高いオゾン濃度を有するオゾン/酸素混合物を混和する。反応室内のエッチングガス混合物をRF範囲の励起周波数を有する極く僅かな出力のプラズマの点火により励起し、反応室の全表面を高いエッチング率で残渣を生じることなくエッチングする。

Claim (excerpt)：

特にシリコン基板上に層を析出及びエッチングする場合に使用される反応室をプラズマエッチングにより迅速かつ傷をつけないように洗浄する方法において、a) 反応室の内部表面に寄生的に析出された酸化珪素又は窒化珪素からなる層の洗浄にエッチングガス混合物を使用し、b) その主成分として少なくともフッ化炭素、特にCF4及び/又はC2F6を使用し、c) このフッ化炭素にできるだけ高いオゾン濃度を有するオゾン/酸素混合物(O3/O2)を混和し、d) 反応室内のエッチングガス混合物をRF範囲の励起周波数を有する極く僅かな出力のプラズマを点火することにより励起し、反応室内の全表面を高いエッチング率で残渣を生じることなくエッチングすることを特徴とする反応室の洗浄方法。

IPC (5)：

H01L 21/302 ,  C23C 16/44 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/31

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭64-087773
  
• 特開平2-102528