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J-GLOBAL ID：200903029470242551

MOS型固体撮像素子の検査方法およびこの検査方法を使用するMOS型固体撮像素子

Inventor： 中瀬 雅之 ,  平瀬 潤一
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 森本 義弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999171736
Publication number (International publication number)：2001008237
Application date： Jun. 18, 1999
Publication date： Jan. 12, 2001
Summary：

【要約】【課題】 MOS型固体撮像素子の検査方法において、MOS型固体撮像素子の良否を簡単に判別できることを目的とする。【解決手段】 各MOS型固体撮像素子の光電変換素子2のアノード側からディジタル信号を入力し、各MOS型固体撮像素子毎に順に、垂直走査器3と水平走査器4により第1のMOSトランジスタ1と第2のMOSトランジスタ5をオンとし、各MOS型固体撮像素子を通過した信号を順番に検査することにより、MOS型固体撮像素子の良否(電気的故障の有無)を判別する。この検査方法によれば、従来の如く、高い検査精度を必要とせずに、電気的に不良な固体撮像素子(不良品)をスクリーニングできる。

Claim (excerpt)：

ウェハー上に形成された複数のMOS型固体撮像素子の検査方法であって、各MOS型固体撮像素子の光電変換素子のアノード側からディジタル信号を入力し、各MOS型固体撮像素子毎に順に、MOS型固体撮像素子の垂直走査器と水平走査器により縦方向のスイッチ動作を行う第1のMOSトランジスタと横方向のスイッチ動作を行う第2のMOSトランジスタをオンとし、各MOS型固体撮像素子を通過した信号を順番に検査することにより、各MOS型固体撮像素子の良否を判別することを特徴とするMOS型固体撮像素子の検査方法。

IPC (6)：

H04N 17/00 ,  H01L 21/66 ,  H01L 27/146 ,  H01L 27/14 ,  H01L 31/10 ,  H04N 5/335

FI (8)：

H04N 17/00 K ,  H01L 21/66 W ,  H01L 21/66 X ,  H01L 21/66 V ,  H04N 5/335 Z ,  H01L 27/14 A ,  H01L 27/14 Z ,  H01L 31/10 E

F-Term (36)：

4M106AA01 ,  4M106AB01 ,  4M106AB07 ,  4M106AB09 ,  4M106AB20 ,  4M106AC10 ,  4M106BA14 ,  4M106CA02 ,  4M106CA17 ,  4M106DJ14 ,  4M106DJ18 ,  4M106DJ20 ,  4M106DJ38 ,  4M118AA09 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA02 ,  4M118FA06 ,  4M118FA50 ,  5C024AA01 ,  5C024BA00 ,  5C024CA31 ,  5C024FA01 ,  5C024FA11 ,  5C024GA01 ,  5C024GA31 ,  5C024JA04 ,  5C061BB01 ,  5C061BB05 ,  5F049MA15 ,  5F049NA18 ,  5F049NA20 ,  5F049NB05 ,  5F049RA02 ,  5F049RA08 ,  5F049SS02